全球前五大DRAM制造商之一的Elpida Memory表示将会采用更为精细的90纳米制造工艺，新技术的启用将会有效的降低生产成本，产出更多的DDR2 SDRAM。

Elpida的CEO Yukio Sakamoto表示，该公司一直都在致力于提升存储芯片的制造技术，以便有效的提升产能，提供更高性能的DARM产品。采用90纳米制程工艺将会有效的帮助该公司提升在高密度和高速DRAM芯片上的竞争优势，未来该公司将有更多的精力为市场提供诸如DDR2 533和DDR2 667这样的高速内存芯片颗粒或者模组。

Elpida采用90纳米制程工艺的512Mb芯片产品将会包括工作频率533MHz（CL4,4-4），667MHz(CL4,4-4,CL5,5-5),甚至是800MHz(CL5,5-5)，工作电压1.8V。首批工厂样品将会在今年的06月份提供给合作厂商，计划量产会应市场需求决定，大致会在2006年的Q2末期。

当前，Elpida正在生产中的512Bb芯片采用的是100纳米制程工艺，预计采用90纳米工艺之后产能将会提升约40％，这意味着相比以前的制程工艺，约有40％甚至更多的存储内存芯片能够在单片硅晶圆上取得。

Eplida的90纳米制程工艺将会首期在其位于日本广岛的E300 300毫米晶圆工厂进行。