按“Del”键进入CMOS设置程序，在主菜单中选择“Advanced Chipset Features”。

　　“SDRAM CAS Latency Time”（内存CAS延迟时间）这个参数对于SDRAM内存而言，CAS信号延迟时间的长短对内存性能有很大影响。一般情况下它有AUTO/3/2三个选择项。普通的兼容内存一般只能在CL=3（CAS信号延迟时间为3个时钟周期）的模式下工作。不过，如果你的内存品质比较好（特别是Kingmax等名牌大厂的产品），则可以在CL=2（CAS信号延迟时间为2个时钟周期）下正常工作，性能也会有大幅的提高。其次是“SDRAM Cycle time Tras/Trc（内存Tras/Trc时钟周期）”设置项，该参数用于确定SDRAM内存行激活时间和行周期时间的时钟周期数。激活时间与周期数越少内存的读取就越快。所以我们可将该选项设置得小一些，如果内存的品质比较好的话，可以设为5/7，这时内存的速度就比较快了。

　　另外一项需要注意的设置就是Bank Interleave。一般设置为“4 Bank”（四路交错）。通常设置为四路交错可以提升内存的访问速度。 还有内存CMD设置，可选择“Turbo”。

本文摘自走进数码网站长参与编写的《由0晋身200%注册表+BIOS高手》，未经许可，严禁转载行为。